Ведущие разработки и направления

СВЧ

svch.jpg1. Технологии изготовления СВЧ твердотельных модулей, используемые АО «ЦНИРТИ» на лабораторно-производственном участке
1.1. Тонкопленочная технология изготовления керамических микрополосковых плат на подложках из поликора, 22ХС. Используется структура металлизации хром-медь-никель-золото с общей толщиной до 8 мкм. На платах реализуются элементы топологии с минимальными размерами 25 мкм, металлизированные отверстия с диаметром 0.2 мм, неметаллизированные отверстия произвольной формы и размеров, пленочные резисторы из сплава РС3710 с сопротивлением 50 и 100 Ом/кв. Обрабатываются подложки толщиной от 0.25 до 1 мм. Технология используется для создания активных и пассивных устройств в диапазоне до 18 ГГц.
sv41.gif  sv42.gif
1.2. Толстопленочная технология СВЧ и НЧ керамических плат на подложках из поликора, 22ХС, кварцевого и кремниевого стекла, керамик с высокой диэлектрической проницаемостью (20-100) и нитрида алюминия. Используются серебросодержащие пасты отечественного производства с толщиной металлизации 16-20 мкм. На платах реализуются элементы топологии с минимальными размерами 70 мкм, металлизированные отверстия с диаметром 0.2 мм, металлизированные торцы плат, неметаллизированные и металлизированые отверстия произвольной формы и размеров, толстопленочные резисторы с сопротивлением 1-10000 Ом. Обрабатываются подложки толщиной от 0.25 до 1 мм, для коммутационных плат реализуется до 7 слоев металлизации, кроме того, технология позволяет изготавливать многослойные платы на основе керамики низкотемпературного обжига (LTCC) с числом слоев до 20 металлизированными отверстиями диаметром 0,1 мм. Технология используется для создания пассивных СВЧ устройств в диапазоне частот до 18 ГГц.
sv43.gif   sv44.gif

sv45.gif

1.3. Технология проектирования монолитных и квазимонолитных интегральных схем СВЧ диапазона. В институте выполнен ряд совместных с НПП "Исток" работ, в которых разрабатывались и исследовались характеристики арсенидгаллиевых МИС широкополосных усилителей мощности и их элементов. В подразделениях ЦНИРТИ проводилась разработка и моделирование транзисторных структур, пассивных элементов МИС, создание их математических моделей, разработка схем и топологий МИС и выдача ТЗ в НПП "Исток" на выпуск конструкторской и технологической документации, изготовление и испытания МИС. Технология квазимонолитных СВЧ устройств на подложках из полуизолирующего арсенида галлия. Используются структуры металлизации титан-золото с толщиной металлизации 3 мкм (2 уровня). На подложках реализуются элементы топологии с минимальными размерами 5 мкм, металлизированные отверстия с диаметром 0.05 мм, пленочные резисторы с сопротивлением 20 Ом/квадрат, сосредоточенные конденсаторы типа металл-диэлектрик-металл с удельной емкостью 200 пФ/кв.мм и пробивным напряжением 100 В, соединения типа "воздушный мост". Реализуются кристаллы толщиной от 0.1 до 0.25 мм с точностью габаитных размеров 0.02 мм. Технология используется для создания пассивных СВЧ устройств и их элементов (например - плат межкаскадных согласующих цепей с сосредоточенными постоянными для ГИС мощных усилителей) в диапазоне частот до 18 ГГц.

sv46.gif sv47.gif
sv48gif.gif

1.4. Технология сборки гибридно-интегральных схем с использованием кристаллов дискретных полупроводниковых приборов и МИС. Используются методы установки кристаллов на платы и основания приклеиванием токопроводящими клеями и эвтектической пайкой припоями золото-олово. Присоединение проволочных выводов диаметрами от 15 до 50 мкм к микросхемам и полупроводниковым приборам выполняется методами термокомпрессионной, термозвуковой (для кристаллов из арсенида галлия), ультразвуковой (для кремниевых ИС) и односторонней контактной сварки (для керамических плат).
sv49.gif
1.5. Освоены и используются также традиционные технологии герметизации модулей СВЧ с заполнением обьема инертным газом при избыточном давлении, электротермотренировки и т.д.

1.6. Мощность лабораторно-производственного участка микроэлектроники для выполнения НИОКР и поставок модулей СВЧ малыми партиями составляет около 500 сложных модулей в год (3500 - 5000 условных ГИС). При необходимости производства больших количеств будет производиться передача КД на серийное производство, либо расширение участка, площади и резервное оборудование для которого имеется.
2.Технический уровень разработок предприятия в области создания комплексированных СВЧ модулей
2.1. Разработка гибридно-интегральных, квазимонолитных и монолитных СВЧ устройств и элементов для усилителей мощности, ППМ, гетеродинных и других устройств аппаратуры РЭП и РТР. Освоена разработка необходимой элементной базы в диапазонах частот 1-2, 2-4, 2-6, 4-8, 8-12, 4-12, 8-18 ГГц, осваиваются устройства диапазонов 18-26, 26-40 ГГц. Технический и технологический уровень разработок ГИС находится на уровне ведущих предприятий электронной промышленности России.
sv410.gif sv411.gif







  platy.jpg
2.2.Создание толстопленочных и объемных интегральных схем СВЧ диапазона.
2.3. Разработка и внедрение многоканальных интегрированных приемно-пеленгационных устройств на основе ФАР для аппаратуры РТР.